【大公报讯】记者刘凝哲北京报道：5月8日，中造中国科学院上海微系统与信息技术研究所（以下简称上海微系统所）的国团欧欣研究员团队在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片制备领域取得突破性进展，相关成果以《可批量制造的队研钽酸锂集成光子芯片》为题，发表于国际学术期刊《自然》。发光

　　据介绍，芯片以硅光技术和薄膜铌酸锂光子技术为代表的可批集成光电技术，被认为是量制应对集成电路芯片性能和成本瓶颈问题的颠覆性技术。其中，中造铌酸锂有“光学硅”之称，国团近年间受到了广泛关注，队研哈佛大学等国外研究机构甚至提出了仿照“硅谷”模式来建设新一代“铌酸锂谷”的发光方案。

　　与铌酸锂类似，芯片欧欣团队与合作者研究证明单晶钽酸锂薄膜同样具有优异的可批电光转换特性，且在双折射、量制透明窗口范围、中造抗光折变、频率梳产生等方面相比铌酸锂更具优势。此外，硅基钽酸锂异质晶圆（LTOI）的制备工艺与绝缘体上的硅（SOI）更加接近，因此钽酸锂薄膜可实现低成本和规模化制造，具有极高的应用价值。

　　欧欣团队在这一领域的研究已持续近10年，值得一提的是，目前研究团队已攻关8吋晶圆制备技术，为更大规模的国产光电集成芯片和移动终端射频滤波器芯片的发展奠定了核心材料基础。